Optical properties of the perfectly compensated semimetalWTe2
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
control of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولOptical properties of the perfectly compensated semimetal WTe
Figure S1. (Color online) The unit cell is shown for the b-c face projected along the a axis. The tungsten atoms are surrounded by tellurium octahedra that are distorted due to the zig-zag nature of the tungsten chains. using both the local spin density approximation (LSDA) as well as the generalized gradient approximation (GGA) using the full-potential linearized augmented plane-wave (FP-LAPW)...
متن کاملOptical properties of the perfectly compensated semimetal WTe2
The optical properties of layered tungsten ditelluride have been measured over a wide temperature and frequency range for light polarized in the a-b planes. A striking low-frequency plasma edge develops in the reflectance at low temperature where this material is a perfectly compensated semimetal. The optical conductivity is described using a two-Drude model which treats the electron and hole p...
متن کاملmodification of nanoclay for improving the physico-mechanical properties of dental adhesives
هدف اصلی این مطالعه تهیه یک سامانه نوین چسب عاجی دندانی بر پایه نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید و نانورس پیوند شده با کیتوسان اصلاح شده با گلایسیدیل متاکریلات است. پیوند پلی متاکریلیک اسید و پلی اکریلیک اسید بر ری سطح نانورس در حضور و ...
investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes
boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physical Review B
سال: 2015
ISSN: 1098-0121,1550-235X
DOI: 10.1103/physrevb.92.161109